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程立文
发布日期:2014-10-25浏览次数:字号:[ ]

 

一、导师简历:

  1.教育经历

  2009.9-2012.6 中国科学院上海技术物理研究所, 获微电子学与固体电子学专业理学博士学位;

  2005.9-2008.3中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 获凝聚态物理学专业理学硕士学位;

  1983.8-1987.6 吉林大学,获电子科学与技术专业工学学士学位。

  2. 工作经历

  2012.7-至今    扬州大学副教授

  2008.3-2009.8  Crosslight公司中国分公司技术工程师

二、研究领域:

  1、研究方向:

  半导体光电子器件物理

  2、 研究内容

  1)半导体光电子器件和电子器件的物理机理研究,如半导体发光二极管(LED),半导体激光器(LD),太阳能电池(Solar Cell),半导体光电探测器(PD)以及高迁移率晶体管(HEMT)的物理机制和量子特性研究。

  2) 化合物半导体光电器件的结构设计和性能优化。主要是基于基本的物理机制,通过能带工程和能带裁剪原理来进行设计和优化现有的光电子器件。

  3、 科研项目 

  国家自然科学基金青年基金项目(项目编号:61404114)

  江苏省自然科学基金青年基金项目(项目编号:BK20140491)

  江苏省高校自然科学研究项目(项目编号:14KJB140016)

  扬州大学科技创新培育基金项目(项目编号:2013CXJ011)

 

  三、研究成果

  发表的主要论文 

(1) Liwen Cheng and Shudong Wu. Performance enhancement of blue InGaN          light-emitting diodes with a GaN-AlGaN-GaN last barrier and without an AlGaN electron blocking layer. IEEE J. Quantum Electron. 50(4), 261 (2014)

(2) Li-Wen Cheng, Chun-Yan Xu, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei-Da Hu, and Wei Lu. Study on GaN-based light emitting diode with InGaN/GaN/InGaN multi-layer barrier. Opt. Quant. Electron. 44(3-5), 75 (2012)

(3) Li-Wen Cheng,Yang Sheng , Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Michel Lestrade, and Zhan-Ming Li. Simulation for light power distribution of 3D InGaN/GaN MQW LED with textured surface. Opt. Quant. Electron. 42(11-13), 739 (2011)

(4) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Z. Q. Li, Yang Sheng, Zhi Hua Zhang, Wei Lu, and Li Wen Cheng. Optimal number of quantum wells for blue InGaN/GaN light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 100, 263504 (2012)

(5) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Droop improvement in blue InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with indium graded last barrier. Appl. Phys. Lett. 99, 233501 (2011)

(6) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Efficiency enhancement of blue InGaN/GaN light emitting diodes with an AlGaN-GaN-AlGaN electron blocking layer. J. Appl. Phys. 111, 094503 (2012)

(7) S. M. He, X. D. Luo, B. Zhang, L. Fu, L. W. Cheng, J. B. Wang, and W. Lu*. Junction temperature measurement of light emitting diode by electroluminescence. Rev. Sci. Instrum. 82, 123101 (2011)

(8) Shuchang Wang, Xiong Zhang, Hao Guo, Hongquan Yang, Min Zhu, Liwen Cheng, Xianghua Zeng , and Yiping Cui. Enhanced performance of GaN-based light-emitting diodes by using a p-InAlGaN/GaN superlattice as electron blocking layer. J. Mod. Opt. 6021), 2012 (2013)

(9) Li-wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, and Wei-da Hu. Efficiency enhancement in InGaN/GaN light-emitting diodes by decreasing the thickness of last barrier. IEEE, 13th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, 2013.08, 49, Vancouver, (2013)

(10) Li-Wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Lestrade, M., Zi-Qiang Li,Zhan-Ming Li. Effects of polarization charge in GaN-based blue laser diodes (LD). IEEE,10th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices,13-14(2010)

(11) Li-Wen Cheng, Yang Sheng, Chang-Sheng Xia, Wei Lu, Lestrade, M., Zi-Qiang Li,Zhan-Ming Li. Simulation for light power distribution of 3D InGaN/GaN MQW LED with textured surface. IEEE,10th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, 1-2(2010)

(12) Liwen Cheng, Chunyan Xu, Yang Sheng,  Weida Hu, Wei Lu, and Zhanming (Simon) Li. Study of InGaN/GaN/InGaN Multi-Layer Barrier in GaN-based Light Emitting Diode.  IEEE,11th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices,31-32(2011)

(13) Chang Sheng Xia, Z. M. Simon Li, Wei Lu, Zhi Hua Zhang,Yang Sheng,and Li Wen Cheng. Efficiency enhancement of blue InGaN/GaN light emitting diodes with an AlGaN-GaN-AlGaN electron blocking layer.  J. Appl. Phys. 111, 094503 (2012)

(14) S. M. He, X. D. Luo, B. Zhang, L. Fu, L. W. Cheng, J. B. Wang, and W. Lu. Junction temperature measurement of light emitting diode by electroluminescence. Rev. Sci. Instrum, 82, 123101 (2011)

(15) Fan YU-pei, Cheng Li-wen, Lin Yue-ming, Zhang Jun-bing, and Zeng Xiang-hua. Optimization of electrode shape for high power GaN-based light-emitting diodes.  Optoelectron. Lett, Vol.5 No.5(2009)

(16) 程立文,梁雪梅,秦莉,王祥鹏,盛阳,宁永强,王立军; 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析,发光学报,2008年04期

(17) 梁雪梅,吕金锴,程立文,秦莉,宁永强,王立军;920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计;发光学报;2010年01期

(18) 陈柏众,戴特力,梁一平,秦莉,赵红,周勇,程立文;用有限元法讨论光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的散热性能;中国激光;2009年10期

(19) 秦莉,田振华,程立文,梁雪梅,史晶晶,张岩,彭航宇,宁永强,王立军;980nm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析;半导体光电;2009年06期

 

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