报告题目：宽禁带半导体氮化镓的开发与应用

           报 告 人： Prof. Jin-Ping Ao, 日本德岛大学教授

           报告时间：2018年3月5日上午11:00

           报告地点：瘦西湖物理楼310报告厅

敖金平(Jin-Ping Ao)教授简历

    日本德岛大学教授，先端半导体电子器件团队负责人，西安电子科技大学特聘教授，国家十三五重点研发计划项目首席科学家。敖教授在半导体器件与集成电路领域工作二十多年，在半导体器件与集成电路理论，制造工艺以及半导体器件的应用方面有很高的造诣和丰富的经验。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师。从事GaAs基和InP基高速电子器件、集成电路和光电集成电路的研究工作。主持过863计划、自然科学基金和国家攻关计划等国家级项目多项。2001年加入日本德岛大学，开始从事GaN器件的研究。主持或参与过日本科学研究辅助金、JST、SCOPE和NEDO等多个项目的研究。与丰田、住友电工、日亚化学等日本著名公司有多年的合作关系。敖教授是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。在国际学术期刊和国际会议上发表论文200余篇，拥有包括可以直接在交流下工作的氮化镓发光二极管单片阵列，晶体管型氮化镓紫外光探测器，微波整流用氮化镓肖特基势垒二极管和电能传输系统电路，氮化镓电子器件的制造工艺等多项发明专利。多项研究课题保持了国际领先水平。